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瓷片电容常见客户投诉的主要原因
专栏: 售后服务
发布日期: 2017-08-22
阅读量: 2165
作者: 佚名
来源: 售后服务

一、 1类瓷介电容器(DCC型)电容量偏小的主要原因有:

1、 测试频率不是1MHZ(许多仪器只有1KHZ100KHZ)。

2、 测试电压不是1.0V,而是小于1.0V(许多仪器测试电压为0.3V)。

3、 SL温度系数产品,测试环境温度不在25±2℃范围。

4、 产品本身确实电容量偏小。

 

二、 1类瓷介电容器(DCC型)电容量偏大的主要原因有:

1、 测试频率不是1MHZ(许多仪器只有1KHZ100KHZ)。

2、 测试仪器设有补偿夹具电容量分功能(夹具的分布电容使电容量偏大)。

3、 测试电压大于1.0V

4、 SL温度系数产品,测试环境温度不在25±2℃范围。

5、 产品本身确实电容量偏大。

 

三、 2类瓷介电容器(DCT型)电容量偏小的主要原因有:

1、 测试环境温度不在25±2℃范围。不清楚电容量偏差与温度特性的概念。

2、 测试频率不是用1KHZ

3、 测试电压不是1.0V,而是小于1.0V

4、 测试者手温影响。

5、 产品放置时间过长(例如发往客户产品,客户经很长时间才使用),因老化使电容量偏小。

6、 产品本身确实电容量偏小。

 

四、 2类瓷介电容器(DCT型)电容量偏大的主要原因有:

1、 测试环境温度不在25±2℃范围。不清楚电容量偏差与温度特性的概念。

2、 测试电压大于1.0V

3、 测试频率不是1KHZ

4、 测试者手温影响。

5、 产品经热处理后(例如经波峰焊后),退老化时间小于48小时。

6、 产品本身确实电容量偏大。

 

五、 3类瓷介电容器(DCS型)电容量偏小的主要原因

2类瓷介电容器相同,但其测试电压应为0.1V

 

六、 3类瓷介电容器(DCS型)电容量偏大的主要原因

2类瓷介电容器相同,但其测试电压应为0.1V

 

七、 1类瓷介电容器Q(品质因素)偏小的主要原因有:

1、 测试仪器精度差,不能达到测量Q值要求精度。

2、 测试频率不是1MHZ

3、 测试夹具不清洁(用酒精清洗即可)。

4、 产品本身确实Q值偏小。

八、 2类瓷介电容器DF(损耗角正切)大的主要原因有:

1、 测试环境温度太低,小于23℃以下。

2、 测试电压大于1.0V

3、 测试频率不是1KHZ

4、 产品本身确实DF大。

 

九、 IR(绝缘电阻)偏小的主要原因有:

1、 充电时间不够,标准规定为1分钟。

2、 测试环境的温度高。

3、 测试者手汗的影响。

4、 产品本身确实偏小。(主要原因有:a.产品介质击穿;b.产品介质有裂纹;c.瓷片没有烧熟;d.二电极由于焊料或银面翻边而短路。)

 

十、 耐电压不合格的主要原因有:

1、 测量时瞬间加压,不是从零调到规定电压。

2、 测试线路中没有阻流电阻,充电电流过大,使产品击穿。

3、 直流电容器加交流电压进行耐电压试验。

4、 仪表的漏电流越差指示灯设定的漏电流过小。

5、 产品本身不合格。(主要原因有:a.产品介质有裂纹;b.产品介质没有流边量;c.产品介质有针孔;d.产品介质有杂质。)

 

十一、交流电容器耐电压测试漏电流大的主要原因:

通交流电压时,经过电容器的不是漏电流,而是直接通交流,理论上通过的电流如下公式计算:I=WCU;可见电容量越大,通过的电流也大,因此检验时,通过的电流与电容量直接相关,如果大电容量电容器,设定电流超限指示灯的电流过小,会误判为电容器不合格。

 

十二、半导体电容器绝缘电阻一面合格,另一面不合格原因:

半导体电容器的结构如下:

 

               电极  

 

                      绝缘层

                             

 

                   半导体                                等效电路图

从等效电路可知:当半导体绝缘层一面破坏时,加电压正负极不相同时,会出现上面所述一面IR合格,另一面不合格。

由于半导体电容器的介质为很薄的一绝缘层,因而容易遭破坏,而使产品失效,测量时若加耐电压过高会破坏绝缘层。

 

十三、电容器击穿的主要机理:

    1、电击穿